商品名稱:S80KS5122GABHI020
數(shù)據(jù)手冊(cè):S80KS5122GABHI020.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:24FBGA
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:3000 件
S80KS5122GABHI020 HYPERRAM? 存儲(chǔ)器是一種高速、低引腳數(shù)、低功耗自刷新動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,適用于需要擴(kuò)展存儲(chǔ)器實(shí)現(xiàn)暫存器或緩沖用途的高性能嵌入式系統(tǒng)。HYPERRAM產(chǎn)品支持符合JEDEC JESD251規(guī)范的HYPERBUS?和八通道xSPI接口,利用了并行和串行接口存儲(chǔ)器的傳統(tǒng)特性,同時(shí)提高了系統(tǒng)性能,簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì),降低了系統(tǒng)成本。 HYPERRAM的低引腳計(jì)數(shù)架構(gòu)使其特別適用于需要片外外部隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的電源和電路板空間受限的應(yīng)用。
關(guān)鍵特性:
外形小巧 – FBGA封裝確保了較小的占板空間
低引腳數(shù) – 低引腳數(shù)有助于簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)并降低系統(tǒng)成本
低功耗 – 混合睡眠模式和部分陣列刷新可提高能效
高吞吐量 – 高讀/寫帶寬能最大限度地提高系統(tǒng)性能
產(chǎn)品規(guī)格:
存儲(chǔ)器類型:易失
存儲(chǔ)器格式:PSRAM
技術(shù):PSRAM(偽 SRAM)
存儲(chǔ)容量:512Mb
存儲(chǔ)器組織:64M x 8
存儲(chǔ)器接口:HyperBus
時(shí)鐘頻率:200 MHz
寫周期時(shí)間 - 字,頁:35ns
訪問時(shí)間:35 ns
電壓 - 供電:1.7V ~ 2V
工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
安裝類型:表面貼裝型
封裝/外殼:24-VBGA
供應(yīng)商器件封裝:24-FBGA(6x8)
基本產(chǎn)品編號(hào):S80KS5122
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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IRFB3306GPBF是 英飛凌旗下 HEXFET 系列 的一款 N溝道功率MOSFET,采用 TO-220AB封裝,適用于高電流開關(guān)、電源轉(zhuǎn)換及電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用。BSZ520N15NS3G
BSZ520N15NS3G 是英飛凌的 N溝道功率MOSFET,屬于 OptiMOS? 3系列,采用 TDSON-8封裝(3.33.3mm),適用于高效率電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)及汽車電子等應(yīng)用。BSC052N08NS5
BSC052N08NS5 是一款 N溝道功率MOSFET,采用 TDSON-8封裝,屬于 OptiMOS? 5系列。BTS724G
BTS724G 是英飛凌推出的四通道智能高端開關(guān),采用PG-DSO-20封裝,專為汽車電子和工業(yè)控制應(yīng)用設(shè)計(jì)。電話咨詢:86-755-83294757
企業(yè)QQ:1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
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